IXFH180N20X3 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 94ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 5+ | 14.7 EUR |
| 10+ | 14.4 EUR |
| 30+ | 14.13 EUR |
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Technische Details IXFH180N20X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH180N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 A, 0.0063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXFH180N20X3 nach Preis ab 14.4 EUR bis 27.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXFH180N20X3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 180A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 154nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 94ns |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH180N20X3 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH180N20X3 | Hersteller : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH180N20X3 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH180N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 A, 0.0063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH180N20X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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