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IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3 IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n100q3-datasheet?assetguid=be7e3b9a-be4b-4fef-8366-070e0c9755d5 Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
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Technische Details IXFH18N100Q3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IXFH18N100Q3 nach Preis ab 22.05 EUR bis 30.1 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFH18N100Q3 IXFH18N100Q3 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_18N100Q3_Datasheet.PDF MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
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IXFH18N100Q3 IXFH18N100Q3 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXFH18N100Q3 IXFH18N100Q3 Hersteller : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n100q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH18N100Q3 IXFH18N100Q3 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDFDA4ED557820&compId=IXFH(T)18N100Q3.pdf?ci_sign=82d246ace1e0649cdbbc2d29f3b3702b57bb27a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 0.66Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
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