auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 33.48 EUR |
| 10+ | 29.5 EUR |
| 30+ | 28.69 EUR |
| 60+ | 28.39 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFH18N100Q3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFH18N100Q3 nach Preis ab 25.69 EUR bis 33.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH18N100Q3 | Hersteller : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXFH18N100Q3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
IXFH18N100Q3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXFH18N100Q3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.66Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IXFH18N100Q3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.66Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |