IXFH18N100Q3 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 35.22 EUR |
| 30+ | 22.25 EUR |
| 120+ | 21.81 EUR |
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Technische Details IXFH18N100Q3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFH18N100Q3 nach Preis ab 30.15 EUR bis 43.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXFH18N100Q3 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH18N100Q3 | IXYS |
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFH18N100Q3 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 40.03 EUR |
| 10+ | 33.05 EUR |
| 50+ | 32.08 EUR |
| 100+ | 31.12 EUR |
| 250+ | 30.5 EUR |
| IXFH18N100Q3 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.15 EUR |
| 10+ | 30.15 EUR |