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IXFH18N90P

IXFH18N90P IXYS

DS100057BIXFHFTFV18N90PS.pdf Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
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Technische Details IXFH18N90P IXYS

Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFH18N90P IXFH18N90P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_18N90P_Datasheet.PDF MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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IXFH18N90P IXFH18N90P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n90p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH18N90P IXFH18N90P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDED315747B820&compId=IXFH(T%2CV)18N90P_S.pdf?ci_sign=6b536d99f033869bf3dd648e0658e04c48509b89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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