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Technische Details IXFH220N20X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH220N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFH220N20X3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IXFH220N20X3 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFH220N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: To Be Advised |
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IXFH220N20X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH220N20X3 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH220N20X3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 204nC Reverse recovery time: 116ns On-state resistance: 6.2mΩ Drain current: 220A Power dissipation: 960W Drain-source voltage: 200V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |