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Anzahl | Preis |
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Technische Details IXFH22N50P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFH22N50P nach Preis ab 4.71 EUR bis 11.18 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFH22N50P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH22N50P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH22N50P | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH22N50P | Hersteller : Ixys Corporation |
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auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH22N50P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH22N50P | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH22N50P | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH22N50P | Hersteller : Ixys Semiconductor GmbH |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH22N50P | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH22N50P | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |