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IXFH230N10T

IXFH230N10T IXYS

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFH230N10T-Datasheet.PDF?assetguid=8D6653DE-0CEB-4D29-BB26-5DD40921D115 Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
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Technische Details IXFH230N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 650W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V.

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IXFH230N10T Hersteller : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFH230N10T-Datasheet.PDF?assetguid=8D6653DE-0CEB-4D29-BB26-5DD40921D115 IXFH230N10T THT N channel transistors
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IXFH230N10T IXFH230N10T Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFH230N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 230Amps 100V
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