Weitere Produktangebote IXFH26N50Q
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| IXFH26N50Q | Hersteller : IXYS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFH26N50Q | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50Q - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 26 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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| IXFH26N50Q |
Power MOSFET, N-CH, 500V, 26A, TO-247AD Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IXFH26N50Q | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V |
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IXFH26N50Q | Hersteller : IXYS |
MOSFET 500V 26A |
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