IXFH30N50P IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 14.66 EUR |
| 30+ | 11.7 EUR |
| 120+ | 10.47 EUR |
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Technische Details IXFH30N50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFH30N50P nach Preis ab 12.69 EUR bis 21.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXFH30N50P | Hersteller : IXYS |
MOSFET 500V 30A |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFH30N50P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH30N50P Produktcode: 60729 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXFH30N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH30N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH30N50P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH30N50P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
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