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IXFH30N50P

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Produktcode: 60729
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFH30N50P IXFH30N50P IXYS IXFH30N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.74 EUR
8+11.98 EUR
10+10.82 EUR
30+9.07 EUR
60+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXFH30N50P IXFH30N50P Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.17 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IXFH30N50P IXFH30N50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N50P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 30A
auf Bestellung 3761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.13 EUR
10+15.62 EUR
120+13.3 EUR
510+11.73 EUR
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IXFH30N50P IXFH30N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 460W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.24 EUR
10+24.32 EUR
12+18.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXFH30N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
auf Bestellung 244 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+12.74 EUR
8+11.98 EUR
10+10.82 EUR
30+9.07 EUR
60+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXFH30N50P media.pdf
IXFH30N50P
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IXFH30N50P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N50P_Datasheet.PDF
IXFH30N50P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 500V 30A
auf Bestellung 3761 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+22.13 EUR
10+15.62 EUR
120+13.3 EUR
510+11.73 EUR
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IXFH30N50P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 460W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
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9+30.24 EUR
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