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IXFH30N50P

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Produktcode: 60729
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXFH30N50P IXFH30N50P Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH30N50P IXFH30N50P Hersteller : IXYS 99414.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
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120+7.69 EUR
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IXFH30N50P IXFH30N50P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N50P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 30A
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10+10.54 EUR
120+8.84 EUR
510+8.59 EUR
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IXFH30N50P IXFH30N50P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXFH30N50P IXFH30N50P Hersteller : Littelfuse iscrete-mosfets-n-channel-hiperfets-ixf-30n50p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH30N50P 99414.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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