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Technische Details IXFH320N10T2 Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1kW, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchT2 HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFH320N10T2 nach Preis ab 14.81 EUR bis 25.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFH320N10T2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH320N10T2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A |
auf Bestellung 2054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH320N10T2 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1kW Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchT2 HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH320N10T2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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IXFH320N10T2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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IXFH320N10T2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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IXFH320N10T2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Power dissipation: 1kW Case: TO247-3 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 430nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 98ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH320N10T2 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Power dissipation: 1kW Case: TO247-3 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 430nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 98ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
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