| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.77 EUR |
| 10+ | 15.76 EUR |
| 120+ | 12.95 EUR |
| 510+ | 11.33 EUR |
| 1020+ | 11.08 EUR |
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Technische Details IXFH48N60X3 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; X3-Class, Power dissipation: 520W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Reverse recovery time: 163ns, Pulsed drain current: 68A, Polarisation: unipolar, Drain current: 48A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 65mΩ.
Weitere Produktangebote IXFH48N60X3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH48N60X3 | IXYS |
 Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 48A TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH48N60X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Reverse recovery time: 163ns Pulsed drain current: 68A Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ |
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| IXFH48N60X3 |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 48A TO247
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| IXFH48N60X3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 163ns
Pulsed drain current: 68A
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 163ns
Pulsed drain current: 68A
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
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