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IXFH50N50P3

IXFH50N50P3 IXYS


media-3321998.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Technische Details IXFH50N50P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4335 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFH50N50P3
Produktcode: 144531
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littelfuse-discrete-mosfets-ixf-50n50p3-datasheet?assetguid=9f18c4f6-a40a-4871-ba8b-9eaf25daedcd Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFH50N50P3 IXFH50N50P3 Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_50n50p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4335 pF @ 25 V
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