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IXFH50N60P3

IXFH50N60P3 IXYS

IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details IXFH50N60P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Hersteller : IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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13+11.87 EUR
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120+9.91 EUR
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Hersteller : Littelfuse Inc. IXFx50N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 371 Stücke:
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Anzahl Preis
2+16.90 EUR
30+10.63 EUR
120+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Hersteller : IXYS media-3322766.pdf MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.78 EUR
10+15.66 EUR
30+11.67 EUR
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXFx50N60P3.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_50n60p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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