| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 42.28 EUR |
| 10+ | 27.92 EUR |
| 120+ | 26.13 EUR |
| 510+ | 25.53 EUR |
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Technische Details IXFH50N85X IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 890W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X-Class HiperFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.
Weitere Produktangebote IXFH50N85X nach Preis ab 26.51 EUR bis 50.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXFH50N85X | IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 850V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 890W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X-Class HiperFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFH50N85X |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiperFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 850V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiperFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 50.05 EUR |
| 6+ | 45.14 EUR |
| 10+ | 35 EUR |
| 50+ | 28.33 EUR |
| 100+ | 26.51 EUR |