IXFH50N85X Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 22.51 EUR |
| 30+ | 17.8 EUR |
| 120+ | 17.11 EUR |
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Technische Details IXFH50N85X Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X-Class HiperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFH50N85X nach Preis ab 18.66 EUR bis 23.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IXFH50N85X | Hersteller : IXYS |
 MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH50N85X | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 850V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X-Class HiperFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH50N85X | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH50N85X | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH50N85X | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 218ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; X-Class Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH50N85X | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 50A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 218ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; X-Class |
Produkt ist nicht verfügbar |