| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 14.17 EUR |
| 14+ | 12.66 EUR |
| 25+ | 12.26 EUR |
| 50+ | 11.86 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
13 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFH52N30P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 400W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm.
Weitere Produktangebote IXFH52N30P nach Preis ab 8.07 EUR bis 25.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH52N30P | IXYS |
 MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds |
auf Bestellung 2057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXFH52N30P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXFH52N30P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 400W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXFH52N30P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3 Reverse recovery time: 160ns Mounting: THT Power dissipation: 400W Gate charge: 110nC Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; Polar™ Drain current: 52A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 73mΩ |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH52N30P |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
auf Bestellung 2057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.08 EUR |
| 10+ | 11.19 EUR |
| 120+ | 9.47 EUR |
| 510+ | 9.4 EUR |
| IXFH52N30P |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.85 EUR |
| 30+ | 11.14 EUR |
| 120+ | 9.45 EUR |
| 510+ | 8.21 EUR |
| 1020+ | 8.07 EUR |
| IXFH52N30P |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.22 EUR |
| 12+ | 20.21 EUR |
| 14+ | 15.72 EUR |
| IXFH52N30P |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Reverse recovery time: 160ns
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Reverse recovery time: 160ns
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)