Produkte > LITTELFUSE INC. > IXFH54N65X3
IXFH54N65X3

IXFH54N65X3 Littelfuse Inc.


littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639 Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 54A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.59 EUR
30+13.31 EUR
120+12.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFH54N65X3 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXFH54N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote IXFH54N65X3 nach Preis ab 13.02 EUR bis 20.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFH54N65X3 IXFH54N65X3 Hersteller : IXYS media-3321213.pdf MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.75 EUR
10+19.98 EUR
30+14.38 EUR
120+13.27 EUR
510+13.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 IXFH54N65X3 Hersteller : LITTELFUSE littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639 Description: LITTELFUSE - IXFH54N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet?assetguid=72e478f6-5b56-48fd-b5ac-2dc7d5bb4639 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 140ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH