IXFH54N65X3 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET 54A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 20.84 EUR |
| 30+ | 12.69 EUR |
| 120+ | 10.91 EUR |
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Technische Details IXFH54N65X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH54N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFH54N65X3 nach Preis ab 11.26 EUR bis 21.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXFH54N65X3 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS |
auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH54N65X3 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH54N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFH54N65X3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 140ns Technology: HiPerFET™; X3-Class |
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