IXFH6N100F IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
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Technische Details IXFH6N100F IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXFH6N100F | IXYS |
MOSFETs HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH6N100F | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 6A; 180W; TO247-3; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™ Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 180W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Gate charge: 54nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IXFH6N100F | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFH6N100F | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH6N100F |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
MOSFETs HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
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| IXFH6N100F |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 6A; 180W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 54nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 6A; 180W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 54nC
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IXFH6N100F |
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Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Stück im Wert von UAH
| IXFH6N100F |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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