Produkte > IXYS > IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4

IXFH80N65X2-4 IXYS


media-3320010.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/80A TO-247-4L
auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.15 EUR
10+23.07 EUR
30+16.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFH80N65X2-4 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote IXFH80N65X2-4 nach Preis ab 13.43 EUR bis 25.20 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
auf Bestellung 48840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.20 EUR
30+16.38 EUR
120+15.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 Hersteller : LITTELFUSE littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf IXFH80N65X2-4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.05 EUR
5+14.60 EUR
6+13.81 EUR
1020+13.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4 Hersteller : Littelfuse ets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf X2-Class HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH