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IXFH80N65X2

IXFH80N65X2 IXYS

media-3319978.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
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Technische Details IXFH80N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
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IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0010169596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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IXFH80N65X2 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf IXFH80N65X2 THT N channel transistors
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IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 Hersteller : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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