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Technische Details IXFH98N60X3 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W, Mounting: THT, Reverse recovery time: 220ns, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 98A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 960W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 90nC, Technology: HiPerFET™; X3-Class, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Case: TO247-3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXFH98N60X3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IXFH98N60X3 | Hersteller : Littelfuse |
 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| IXFH98N60X3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W Mounting: THT Reverse recovery time: 220ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 98A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFH98N60X3 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TO247 600V 98A N-CH X3CLASS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXFH98N60X3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W Mounting: THT Reverse recovery time: 220ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 98A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: TO247-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |