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| 50+ | 40.74 EUR |
| 100+ | 39.42 EUR |
| 250+ | 36.79 EUR |
| 500+ | 36.35 EUR |
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Technische Details IXFK150N30P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 1300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFK150N30P3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 1.3 Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.3kW Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 19mΩ Drain current: 150A Drain-source voltage: 300V Gate charge: 197nC Kind of channel: enhanced Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 1300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.3kW Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 19mΩ Drain current: 150A Drain-source voltage: 300V Gate charge: 197nC Kind of channel: enhanced Kind of package: tube |
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