IXFK150N30P3 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 49.14 EUR |
| 25+ | 32.17 EUR |
| 50+ | 29.99 EUR |
| 100+ | 28.14 EUR |
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Technische Details IXFK150N30P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 1300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFK150N30P3 nach Preis ab 33.68 EUR bis 49.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IXFK150N30P3 | IXYS |
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
auf Bestellung 1138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK150N30P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Case: TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 197nC On-state resistance: 19mΩ Drain current: 150A Drain-source voltage: 300V Mounting: THT Power dissipation: 1.3kW Kind of package: tube |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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IXFK150N30P3 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 1.3 Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFK150N30P3 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 49.35 EUR |
| 10+ | 33.68 EUR |
| IXFK150N30P3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IXFK150N30P3 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)