
IXFK150N30P3 IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Drain current: 150A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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4+ | 20.35 EUR |
100+ | 19.56 EUR |
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Technische Details IXFK150N30P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 1300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFK150N30P3 nach Preis ab 19.56 EUR bis 35.15 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IXFK150N30P3 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264 Drain current: 150A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 197nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 300V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 1300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 1.3 Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFK150N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
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