IXFK210N30X3 LITTELFUSE
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details IXFK210N30X3 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| IXFK210N30X3 |
MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS Транзистори |
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IXFK210N30X3 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 210A TO264 |
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IXFK210N30X3 | IXYS |
MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS |
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IXFK210N30X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns |
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IXFK210N30X3 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFK210N30X3 |
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MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS Транзистори
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| IXFK210N30X3 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 210A TO264
Description: MOSFET N-CH 300V 210A TO264
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| IXFK210N30X3 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
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| IXFK210N30X3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
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| IXFK210N30X3 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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