auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 52.17 EUR |
| 10+ | 44.49 EUR |
| 100+ | 38.91 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFK210N30X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXFK210N30X3 nach Preis ab 30.47 EUR bis 71.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK210N30X3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 300V 210A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
IXFK210N30X3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 210A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 190ns Gate charge: 375nC On-state resistance: 5.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.25kW Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||
|
|
IXFK210N30X3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 210A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 190ns Gate charge: 375nC On-state resistance: 5.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.25kW Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
IXFK210N30X3 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
 |
IXFK210N30X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
 |
IXFK210N30X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |