
IXFK210N30X3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 210A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 54.31 EUR |
25+ | 45.02 EUR |
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Technische Details IXFK210N30X3 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXFK210N30X3 nach Preis ab 31.25 EUR bis 71.50 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXFK210N30X3 | Hersteller : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Gate charge: 375nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK210N30X3 | Hersteller : IXYS |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Polarisation: unipolar Gate charge: 375nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK210N30X3 | Hersteller : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK210N30X3 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFK210N30X3 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFK210N30X3 | Hersteller : IXYS |
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