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IXFK32N100Q3

IXFK32N100Q3 Littelfuse Inc.



Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Technische Details IXFK32N100Q3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V.

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IXFK32N100Q3 IXFK32N100Q3 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_32N100Q3_Datasheet.PDF MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
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