IXFK420N10T LITTELFUSE
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 36.01 EUR |
| 10+ | 31.23 EUR |
| 50+ | 29.21 EUR |
| 100+ | 27.2 EUR |
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Technische Details IXFK420N10T LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFK420N10T nach Preis ab 29.7 EUR bis 45.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IXFK420N10T | IXYS |
MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK420N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Power dissipation: 1.67kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 670nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™ Reverse recovery time: 140ns |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFK420N10T |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 45.93 EUR |
| 10+ | 34.87 EUR |
| 100+ | 29.7 EUR |
| IXFK420N10T |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)