IXFK420N10T IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 20.16 EUR |
| 5+ | 17.17 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFK420N10T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFK420N10T nach Preis ab 17.05 EUR bis 31.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK420N10T | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Reverse recovery time: 140ns Gate charge: 670nC On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Power dissipation: 1.67kW Kind of channel: enhancement Case: TO264 Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™ Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
IXFK420N10T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 420A TO264AAPackaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1670W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
IXFK420N10T | Hersteller : IXYS |
MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
IXFK420N10T | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
IXFK420N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
IXFK420N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |



