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IXFK420N10T

IXFK420N10T IXYS

IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 50 Stücke:
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Technische Details IXFK420N10T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 0.0026 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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IXFK420N10T IXFK420N10T Hersteller : IXYS IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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IXFK420N10T IXFK420N10T Hersteller : IXYS media-3321190.pdf MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
auf Bestellung 595 Stücke:
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100+ 37.96 EUR
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IXFK420N10T IXFK420N10T Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 0.0026 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 125 Stücke:
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IXFK420N10T IXFK420N10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXFK420N10T IXFK420N10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
IXFK420N10T IXFK420N10T Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_420n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
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