auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.73 EUR |
| 10+ | 13.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFK44N50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 658W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFK44N50P nach Preis ab 11.2 EUR bis 19.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK44N50P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 658W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXFK44N50P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 658W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiperFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
IXFK44N50P Produktcode: 129821
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||
 |
IXFK44N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
IXFK44N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IXFK44N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
IXFK44N50P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264 Kind of package: tube Case: TO264 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 98nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 650W Gate-source voltage: ±30V Drain current: 44A Drain-source voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IXFK44N50P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264 Kind of package: tube Case: TO264 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HiPerFET™; Polar™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 98nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 650W Gate-source voltage: ±30V Drain current: 44A Drain-source voltage: 500V |
Produkt ist nicht verfügbar |