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IXFN100N50P

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Produktcode: 145163
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IXFN100N50P

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:100A
  • On State Resistance:0.049ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.12`C/W
  • Max Voltage Vds:500V
  • N-channel Gate Charge:240nC
  • No. of Pins:4
  • Power Dissipation Pd:1040W
  • Typ Capacitance Ciss:20000pF
  • Max Reverse RecoveryTime, trr:200ns
  • Transistor Case Style:ISOTOP

Weitere Produktangebote IXFN100N50P nach Preis ab 68.46 EUR bis 99.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN100N50P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 500V 100A
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.87 EUR
10+83.69 EUR
100+81.13 EUR
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IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS IXFN100N50P.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
auf Bestellung 237 Stücke:
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IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFN100N50P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN100N50P_Datasheet.PDF
IXFN100N50P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 500V 100A
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
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100+68.46 EUR
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IXFN100N50P description IXYS-S-A0008595748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN100N50P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 299 Stücke:
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