IXFN100N50P IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
auf Bestellung 381 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 76.23 EUR |
| 10+ | 67.92 EUR |
| 100+ | 59.62 EUR |
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Technische Details IXFN100N50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN100N50P nach Preis ab 88.76 EUR bis 113.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXFN100N50P | Hersteller : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 500V 100A |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFN100N50P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, ISOTOP, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN100N50P Produktcode: 145163 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXFN100N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN100N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN100N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN100N50P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 75A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 49mΩ Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN100N50P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 75A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 49mΩ Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
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