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Technische Details IXFN110N60P3 IXYS
Category: Transistor modules, Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 90A, Power dissipation: 1.5kW, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±40V, On-state resistance: 56mΩ, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor, Reverse recovery time: 250ns, Pulsed drain current: 275A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Gate charge: 254nC, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw.
Weitere Produktangebote IXFN110N60P3 nach Preis ab 72.42 EUR bis 97.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IXFN110N60P3 | IXYS |
 MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET |
auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFN110N60P3 |
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Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 97.39 EUR |
| 10+ | 83.04 EUR |
| 100+ | 72.42 EUR |