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Technische Details IXFN110N60P3 IXYS
Category: Transistor modules, Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 90A, Power dissipation: 1.5kW, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±40V, On-state resistance: 56mΩ, Gate charge: 254nC, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor, Reverse recovery time: 250ns, Pulsed drain current: 275A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw.
Weitere Produktangebote IXFN110N60P3 nach Preis ab 75.41 EUR bis 98.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IXFN110N60P3 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFN110N60P3 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
Description: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
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