IXFN132N50P3 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 64.19 EUR |
| 10+ | 48.05 EUR |
| 100+ | 44 EUR |
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Technische Details IXFN132N50P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5kW, Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN132N50P3 nach Preis ab 54.28 EUR bis 69.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXFN132N50P3 | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5kW Produktpalette: Polar3 HiPerFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN132N50P3 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Semiconductor module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 112A Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 39mΩ Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Gate charge: 250nC Reverse recovery time: 250ns Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 1.5kW Technology: HiPerFET™; Polar™ |
Produkt ist nicht verfügbar |