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Technische Details IXFN140N20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN140N20P nach Preis ab 27.80 EUR bis 44.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFN140N20P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 680W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
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IXFN140N20P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 680W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IXFN140N20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN140N20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN140N20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN140N20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN140N20P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 115A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 680W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 18mΩ Gate charge: 240nC Kind of channel: enhancement Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: HiPerFET™; Polar™ Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 150ns Electrical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN140N20P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 115A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 680W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 18mΩ Gate charge: 240nC Kind of channel: enhancement Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: HiPerFET™; Polar™ Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 150ns Electrical mounting: screw |
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