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IXFN170N30P

IXFN170N30P IXYS

media-3323541.pdf Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 138 Amps 300V 0.018 Rds
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Technische Details IXFN170N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.

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IXFN170N30P IXFN170N30P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn170n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
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IXFN170N30P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn170n30p_datasheet.pdf.pdf IXFN170N30P Transistor modules MOSFET
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IXFN170N30P IXFN170N30P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn170n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
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IXFN170N30P IXFN170N30P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
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