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IXFN170N65X2

IXFN170N65X2 Littelfuse Inc.


a Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
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Technische Details IXFN170N65X2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 1170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 Hersteller : IXYS media-3320017.pdf MOSFET Modules 650V/170A miniBLOC SOT-227
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IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007910705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
tariffCode: 0
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.17kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
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IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 Hersteller : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixfn170n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B
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IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 170A 4-Pin SOT-227B
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IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C956F78DF18BF&compId=IXFN170N65X2.pdf?ci_sign=e4ca9b77a78619ba688f7d6c410bc4fd14cd2866 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 270ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN170N65X2 IXFN170N65X2 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C956F78DF18BF&compId=IXFN170N65X2.pdf?ci_sign=e4ca9b77a78619ba688f7d6c410bc4fd14cd2866 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 170A; SOT227B; screw; Idm: 340A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 434nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 270ns
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