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Technische Details IXFN170N65X2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227, tariffCode: 0, Transistormontage: Module, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.17kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPERFET X2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote IXFN170N65X2 nach Preis ab 97.68 EUR bis 130.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXFN170N65X2 | LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227tariffCode: 0 Transistormontage: Module euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 1.17kW Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HiPERFET X2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFN170N65X2 |
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
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Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
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Description: LITTELFUSE - IXFN170N65X2 - MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
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Produktpalette: HiPERFET X2 Series
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 130.88 EUR |
| 5+ | 115.88 EUR |
| 10+ | 101.74 EUR |
| 25+ | 99.71 EUR |
| 50+ | 97.68 EUR |