IXFN180N20 Ixys Semiconductor GmbH
Hersteller: Ixys Semiconductor GmbH
SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150
SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150
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Technische Details IXFN180N20 Ixys Semiconductor GmbH
Description: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V.
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IXFN180N20 Produktcode: 47824
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Hersteller : IXYS |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: miniBLOC Uds,V: 200 V Idd,A: 180 A Rds(on), Ohm: 12,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 660/22 |
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IXFN180N20 | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN180N20 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN180N20 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V |
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IXFN180N20 | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules 200V 180A |
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