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IXFN180N20

IXFN180N20 IXYS

ixfn180n20-datasheet.pdf
Produktcode: 47824
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Hersteller: IXYS
Gehäuse: miniBLOC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 12,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/22
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Technische Details IXFN180N20 IXYS

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:180A
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:4J
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Isolation voltage:2500V
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.01ohm
  • Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:700W
  • Power Dissipation Pd:700W
  • Pulse Current Idm:720A
  • Weight:0.046kg
  • Transistor Case Style:ISOTOP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN180N20 IXFN180N20 IXFN180N20.pdf SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IXFN180N20 IXFN180N20 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B
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IXFN180N20 IXFN180N20 Hersteller : IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 25 V
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IXFN180N20 IXFN180N20 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN180N20_Datasheet.PDF MOSFET Modules 200V 180A
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 8,2
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 4.5mV/K
auf Bestellung 7392 St.:
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Produktcode: 28023
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Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: TQFP-44
Kurzbeschreibung: 8-bit Microcontrollers - MCU 32KB 1536 RAM 34 I/O
Strom, V: 2...5,5 V
Betriebstemperatur, °С: PIC
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 40MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
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Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: DIP-18
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrokontroller with 3.5K Bytes,4MHz
Strom, V: 2,0...5,5V
Betriebstemperatur, °С: -40…+125°C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+125°C
ZCODE: 8542399000
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200 St. - erwartet 20.06.2026
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10+1.96 EUR
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Produktcode: 16501
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74HC595D
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Verschiebung Register mit konsequent Eingang und parallel Ausgang
Analog 74хх: SMD
Strom.V: -0,5…7V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Shift register
verfügbar: 1658 St.
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1608 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.2 EUR
10+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
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2 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-2K-Hitano)
Produktcode: 13584
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2 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-2K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 2 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 10869 St.
1177 St. - stock Köln
9692 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 500 St.
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