Produkte > IXYS > IXFN180N25T
IXFN180N25T

IXFN180N25T IXYS

IXFN180N25T.pdf
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 168A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12.9mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 900W
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 364nC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+41.45 EUR
5+33 EUR
10+31.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFN180N25T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 168A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900W, Produktpalette: GigaMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Weitere Produktangebote IXFN180N25T nach Preis ab 35.08 EUR bis 73.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN180N25T_Datasheet.PDF MOSFET Modules 155A 250V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.24 EUR
10+41.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS DS100130AIXFN180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.97 EUR
10+48.73 EUR
50+41.39 EUR
100+39.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.09 EUR
5+59.38 EUR
10+45.43 EUR
50+40.72 EUR
100+37.59 EUR
200+35.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN180N25T_Datasheet.PDF
IXFN180N25T
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 155A 250V
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+54.24 EUR
10+41.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T DS100130AIXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+65.97 EUR
10+48.73 EUR
50+41.39 EUR
100+39.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN180N25T LFSI-S-A0007924158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN180N25T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N25T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 168A, 250V, 0.0129 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900W
Produktpalette: GigaMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+73.09 EUR
5+59.38 EUR
10+45.43 EUR
50+40.72 EUR
100+37.59 EUR
200+35.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH