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Technische Details IXFN200N10P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN200N10P nach Preis ab 30.26 EUR bis 48.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXFN200N10P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 680W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
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IXFN200N10P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 680W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IXFN200N10P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXFN200N10P | Hersteller : IXYS | IXFN200N10P Transistor modules MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |