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IXFN200N10P

IXFN200N10P IXYS

media-3323914.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds
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Technische Details IXFN200N10P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN200N10P IXFN200N10P Hersteller : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
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IXFN200N10P IXFN200N10P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXFN200N10P IXFN200N10P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
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IXFN200N10P IXFN200N10P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn200n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
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IXFN200N10P Hersteller : IXYS IXFN200N10P Transistor modules MOSFET
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