IXFN200N10P IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 43.37 EUR |
| 10+ | 31.75 EUR |
| 100+ | 27.05 EUR |
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Technische Details IXFN200N10P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN200N10P nach Preis ab 32.96 EUR bis 43.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IXFN200N10P | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules 200 Amps 100V 0.0075 Rds |
auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN200N10P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 680W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Polar(TM) HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN200N10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN200N10P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 680W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5mΩ Gate charge: 235nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 150ns |
Produkt ist nicht verfügbar |