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IXFN210N20P

IXFN210N20P IXYS

IXFN210N20P.pdf
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate charge: 255nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 188A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 10.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
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Technische Details IXFN210N20P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 1050 µohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 188A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 1.07kW, SVHC: To Be Advised, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN210N20P_Datasheet.PDF MOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds
auf Bestellung 1034 Stücke:
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IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS DS100019AIXFN210N20P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
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10+75.65 EUR
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IXFN210N20P IXFN210N20P LITTELFUSE IXYS-S-A0008595619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 1050 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 188A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1.07kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
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IXFN210N20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN210N20P_Datasheet.PDF
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Description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 1050 µohm, 10 V, 4.5 V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
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