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IXFN210N20P

IXFN210N20P IXYS


media-3321224.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 188 Amps 200V 0.0105 Rds
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Technische Details IXFN210N20P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 188A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.07kW, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN210N20P IXFN210N20P Hersteller : Littelfuse Inc. DS100019AIXFN210N20P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
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IXFN210N20P IXFN210N20P Hersteller : LITTELFUSE IXYS-S-A0008595619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN210N20P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 188A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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IXFN210N20P IXFN210N20P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn210n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
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IXFN210N20P IXFN210N20P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
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IXFN210N20P IXFN210N20P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B
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IXFN210N20P Hersteller : IXYS DS100019AIXFN210N20P.pdf IXFN210N20P Transistor modules MOSFET
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