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Technische Details IXFN210N30X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 695W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFN210N30X3 nach Preis ab 52.06 EUR bis 69.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFN210N30X3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V |
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IXFN210N30X3 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFN210N30X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 VtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 695W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: To Be Advised |
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IXFN210N30X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN210N30X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN210N30X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN210N30X3 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Pulsed drain current: 650A Power dissipation: 695W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN210N30X3 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A Pulsed drain current: 650A Power dissipation: 695W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
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