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Technische Details IXFN230N20T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.09kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09kW, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXFN230N20T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFN230N20T | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 VtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.09kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09kW Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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IXFN230N20T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 220A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN230N20T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 220A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN230N20T | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.5mΩ Pulsed drain current: 630A Power dissipation: 1090W Technology: GigaMOS™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 358nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN230N20T | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1090W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
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IXFN230N20T | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.5mΩ Pulsed drain current: 630A Power dissipation: 1090W Technology: GigaMOS™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 358nC Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
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