Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFN230N20T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.09kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.09kW, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFN230N20T nach Preis ab 45.47 EUR bis 79.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN230N20T | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227BVgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227B Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 1090W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXFN230N20T | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.09kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09kW Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IXFN230N20T |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1090W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Description: MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1090W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 68.12 EUR |
| 10+ | 50.66 EUR |
| 100+ | 45.47 EUR |
| IXFN230N20T |
|
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.09kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.09kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 79.77 EUR |
| 5+ | 70.22 EUR |
| 10+ | 61.26 EUR |
| 50+ | 57.7 EUR |
| 100+ | 54.14 EUR |