IXFN26N90
Produktcode: 53753
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Technische Details IXFN26N90
- MOSFET, N, SOT-227B
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:900V
- Cont Current Id:26A
- On State Resistance:0.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:ISOTOP
- Termination Type:Screw
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Isolation voltage:2500V
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance:0.3ohm
- Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
- Max Voltage Vds:900V
- Max Voltage Vgs th:5V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:600W
- Power Dissipation Pd:600W
- Pulse Current Idm:104A
- Rate of Voltage Change dv / dt:5V/es
- Weight:0.044kg
- Transistor Case Style:ISOTOP
Weitere Produktangebote IXFN26N90
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN26N90 | IXYS |
 07+; |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFN26N90 |
|
Hersteller: IXYS
07+;
07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH