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IXFN26N90

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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Technische Details IXFN26N90

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:900V
  • Cont Current Id:26A
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Isolation voltage:2500V
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.3ohm
  • Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
  • Max Voltage Vds:900V
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:600W
  • Power Dissipation Pd:600W
  • Pulse Current Idm:104A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:5V/es
  • Weight:0.044kg
  • Transistor Case Style:ISOTOP

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IXFN26N90 Hersteller : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF 07+;
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IXFN26N90 IXFN26N90 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
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Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
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IXFN26N90 IXFN26N90 Hersteller : IXYS media-3323816.pdf Discrete Semiconductor Modules 900V 26A
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