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IXFN300N20X3

IXFN300N20X3 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfn300n20x3_datasheet.pdf.pdf Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
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Technische Details IXFN300N20X3 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 695W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Hersteller : IXYS media-3320570.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 MINI
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IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0009972217-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B
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IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Hersteller : IXYS IXFN300N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.5mΩ
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 172ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN300N20X3 IXFN300N20X3 Hersteller : IXYS IXFN300N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.5mΩ
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 172ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
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