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IXFN32N120P

IXFN32N120P Littelfuse


media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
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Technische Details IXFN32N120P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V.

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IXFN32N120P IXFN32N120P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
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IXFN32N120P IXFN32N120P Hersteller : IXYS media-3321719.pdf MOSFET Modules 32 Amps 1200V
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IXFN32N120P IXFN32N120P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn32n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
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IXFN32N120P IXFN32N120P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA83FC27C19F820&compId=IXFN32N120P.pdf?ci_sign=21e350967878f792e5cbabfa7c9da6eeff737a7c Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.31Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 1kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 360nC
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 300ns
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN32N120P IXFN32N120P Hersteller : IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
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IXFN32N120P IXFN32N120P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA83FC27C19F820&compId=IXFN32N120P.pdf?ci_sign=21e350967878f792e5cbabfa7c9da6eeff737a7c Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.31Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 1kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 360nC
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
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Polarisation: unipolar
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