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IXFN36N100

IXFN36N100 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn36n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
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Technische Details IXFN36N100 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN36N100 IXFN36N100 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN36N100_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 1KV 36A
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IXFN36N100 IXFN36N100 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN36N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFN36N100 IXFN36N100 Littelfuse media.pdf description Trans MOSFET N-CH 1KV 36A 4-Pin SOT-227B
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IXFN36N100 description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN36N100_Datasheet.PDF
IXFN36N100
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 1KV 36A
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IXFN36N100 description IXYS-S-A0008595798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN36N100
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN36N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFN36N100 description media.pdf
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 36A 4-Pin SOT-227B
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