Produkte > IXYS > IXFN420N10T
IXFN420N10T

IXFN420N10T IXYS

IXFN420N10T.pdf
Hersteller: IXYS
Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+46.27 EUR
5+41.48 EUR
10+39.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFN420N10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.07kW, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Produktpalette: GigaMOS HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Weitere Produktangebote IXFN420N10T nach Preis ab 51.79 EUR bis 70.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN420N10T IXFN420N10T Ixys Corporation rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn420n10t-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+64.16 EUR
5+56.69 EUR
10+52.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN420N10T_Datasheet.PDF MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.39 EUR
10+55.94 EUR
100+51.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfn420n10t-datasheet?assetguid=62579591-1540-44e6-a432-38bdea106cee Description: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T IXFN420N10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007923927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.07kW
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn420n10t-datasheet.pdf
IXFN420N10T
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+64.16 EUR
5+56.69 EUR
10+52.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN420N10T_Datasheet.PDF
IXFN420N10T
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+66.39 EUR
10+55.94 EUR
100+51.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixfn420n10t-datasheet?assetguid=62579591-1540-44e6-a432-38bdea106cee
IXFN420N10T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+70.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN420N10T LFSI-S-A0007923927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN420N10T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.07kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.07kW
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: GigaMOS HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH