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Technische Details IXFN420N10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.07kW, Produktpalette: GigaMOS HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFN420N10T nach Preis ab 34.11 EUR bis 49.72 EUR
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IXFN420N10T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1070W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V |
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IXFN420N10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.07kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.07kW Produktpalette: GigaMOS HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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IXFN420N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN420N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN420N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN420N10T | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 1.07kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3mΩ Gate charge: 670nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 140ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN420N10T | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 1.07kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3mΩ Gate charge: 670nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 140ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
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