IXFN420N10T IXYS
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 670nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Drain current: 420A
Pulsed drain current: 1kA
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 1.07kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 35.61 EUR |
| 5+ | 31.47 EUR |
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Technische Details IXFN420N10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 1.07kW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.07kW, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Produktpalette: GigaMOS HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Weitere Produktangebote IXFN420N10T nach Preis ab 31.25 EUR bis 54.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXFN420N10T | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1070W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN420N10T | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN420N10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN420N10T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 1.07kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 1.07kW SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Produktpalette: GigaMOS HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |