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Technische Details IXFN48N60P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Produktpalette: PolarHV HiPerFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN48N60P nach Preis ab 38.10 EUR bis 51.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IXFN48N60P | Hersteller : IXYS |
 MOSFET Modules 600V 48A |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN48N60P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Produktpalette: PolarHV HiPerFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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IXFN48N60P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN48N60P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN48N60P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN48N60P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; Idm: 110A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 625W Case: SOT227B On-state resistance: 0.14Ω Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Pulsed drain current: 110A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Gate-source voltage: ±40V Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN48N60P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V |
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IXFN48N60P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; Idm: 110A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 625W Case: SOT227B On-state resistance: 0.14Ω Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Pulsed drain current: 110A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Gate-source voltage: ±40V Semiconductor structure: single transistor |
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