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IXFN520N075T2

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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN520N075T2_Datasheet.PDF MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : IXYS IXFN520N075T2.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
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10+45.15 EUR
100+38.74 EUR
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2.pdf N-CH 75V 480A SOT-227B Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : IXYS IXFN520N075T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
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B82559A2122A025 конденсатор
Produktcode: 211151
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PHR-3
Produktcode: 73290
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PHR-3
Hersteller: JST
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Тип роз'єму: провід - плата. Вид роз'єму: "мама". Без контактів. Номінальна напруга / струм: 100V / 2A.
Abmessungen: Buchse (Steckdose)
Stecker/Buchse: 2,00mm
Anzahl Kontakte: 1 - Reihe
3
Серія роз’єма: PH
Монтаж: на провід
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PHR-2
Produktcode: 72992
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PHR-2
+1
Hersteller: JST
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Тип роз'єму: провід - плата. Вид роз'єму: "мама". Без контактів. Номінальна напруга / струм: 100V / 2A.
Abmessungen: Buchse (Steckdose)
Stecker/Buchse: 2,00mm
Anzahl Kontakte: 1 - Reihe
2
Серія роз’єма: PH
Монтаж: на провід
auf Bestellung 2995 St.:
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3,9 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 9599
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rc_series_20150401_1.pdf
3,9 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3,9 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 5652 St.
1200 St. - stock Köln
4452 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.036 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2210
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RC_series.pdf
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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