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Technische Details IXFN520N075T2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IXFN520N075T2 nach Preis ab 119.68 EUR bis 130.24 EUR
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IXFN520N075T2 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227tariffCode: 85412900 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
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| IXFN520N075T2 | Hersteller : IXYS | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 |
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IXFN520N075T2 Produktcode: 59603
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IXFN520N075T2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN520N075T2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN520N075T2 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 75V Drain current: 480A On-state resistance: 1.9mΩ Power dissipation: 940W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 545nC Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 1.5kA Reverse recovery time: 150ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN520N075T2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 940W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V |
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IXFN520N075T2 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 75V Drain current: 480A On-state resistance: 1.9mΩ Power dissipation: 940W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 545nC Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 1.5kA Reverse recovery time: 150ns |
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