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IXFN520N075T2

IXFN520N075T2 IXYS


media-3321530.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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Technische Details IXFN520N075T2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, directShipCharge: 25.

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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : Littelfuse Inc. IXFN520N075T2.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007924054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFN520N075T2 - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
directShipCharge: 25
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2
Produktcode: 59603
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : Littelfuse osfets_n-channel_trench_gate_ixfn520n075t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : Littelfuse te-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn520n075t2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : IXYS IXFN520N075T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 Hersteller : IXYS IXFN520N075T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
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