IXFN60N80P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 47.43 EUR |
| 10+ | 45.62 EUR |
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Technische Details IXFN60N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFN60N80P nach Preis ab 45.62 EUR bis 75.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFN60N80P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 53A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.14Ω Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.04kW Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Reverse recovery time: 250ns Gate charge: 250nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN60N80P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN60N80P | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800 |
auf Bestellung 1155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN60N80P Produktcode: 84689
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXFN60N80P | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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