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Technische Details IXFN60N80P IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.
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IXFN60N80P Produktcode: 84689
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 Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXFN60N80P | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN60N80P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN60N80P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V |
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