Produkte > IXYS CORPORATION > IXFN64N50P
IXFN64N50P

IXFN64N50P Ixys Corporation


media.pdf Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+44.51 EUR
40+40.26 EUR
80+36.79 EUR
120+33.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFN64N50P Ixys Corporation

Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IXFN64N50P nach Preis ab 29.14 EUR bis 48.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=C3F76E7E-02FB-4FB9-BB27-8D8D85DFFDE8 Description: MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+46.31 EUR
10+33.97 EUR
100+29.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : IXYS media-3322863.pdf MOSFET Modules 500V 64A
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+48.05 EUR
10+42.24 EUR
20+41.57 EUR
50+41.29 EUR
100+38.61 EUR
500+37.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50P
Produktcode: 122714
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N50P-Datasheet.PDF?assetguid=C3F76E7E-02FB-4FB9-BB27-8D8D85DFFDE8 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF92724B3D05820&compId=IXFN64N50P.pdf?ci_sign=745dacaa39587d6945ae1a13a81afae1ffc43c43 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN64N50P IXFN64N50P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF92724B3D05820&compId=IXFN64N50P.pdf?ci_sign=745dacaa39587d6945ae1a13a81afae1ffc43c43 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH