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IXFN64N60P

IXFN64N60P IXYS


media-3319465.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
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Technische Details IXFN64N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN64N60P IXFN64N60P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
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IXFN64N60P IXFN64N60P Hersteller : IXYS IXFN64N60P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 96mΩ
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 200nC
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN64N60P IXFN64N60P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn64n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
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IXFN64N60P IXFN64N60P Hersteller : IXYS IXFN64N60P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 96mΩ
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 700W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 200nC
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Reverse recovery time: 200ns
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