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IXFN80N50

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ZCODE: 8541290090
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Technische Details IXFN80N50

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.055ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4.5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:4J
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.055ohm
  • Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
  • Max Voltage Vds:500V
  • Max Voltage Vgs th:4.5V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • N-channel Gate Charge:380nC
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:780W
  • Power Dissipation Pd:780W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:250ns
  • Weight:0.000036kg
  • Transistor Case Style:ISOTOP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFN80N50 IXFN80N50 Hersteller : IXYS 98538.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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IXFN80N50 IXFN80N50 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR 3732484.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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