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IXFN82N60P

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Produktcode: 38016
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IXFN82N60P

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:82A
  • On State Resistance:0.75ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.12`C/W
  • Max Voltage Vds:600V
  • N-channel Gate Charge:240nC
  • No. of Pins:4
  • Power Dissipation Pd:1040W
  • Typ Capacitance Ciss:23000pF
  • Max Reverse RecoveryTime, trr:200ns
  • Transistor Case Style:ISOTOP

Weitere Produktangebote IXFN82N60P nach Preis ab 58.81 EUR bis 77.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN82N60P IXFN82N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN82N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.64 EUR
10+64.4 EUR
100+58.81 EUR
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IXFN82N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN82N60P_Datasheet.PDF
IXFN82N60P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
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