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Technische Details IXFN82N60Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFN82N60Q3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFN82N60Q3 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXFN82N60Q3 | Hersteller : IXYS |
IXFN82N60Q3 Transistor modules MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN82N60Q3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN82N60Q3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V |
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