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Technische Details IXFP12N50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm.
Weitere Produktangebote IXFP12N50P nach Preis ab 6.59 EUR bis 9.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXFP12N50P | Hersteller : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V |
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IXFP12N50P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP12N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFP12N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFP12N50P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFP12N50P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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